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等离子体刻蚀设备应用于刻蚀硅片边沿的硅磷层，扩散过程中，不但硅片的表面扩散上了磷，硅片边缘也扩散上了磷，这会导致硅片正反两极通过边缘导通短路。所以必须将硅片边缘这层被扩散上的硅磷去掉，大概去除1到3个微米。硅片在刻蚀机内水平旋转，通入的反应气体为四氟化碳、氧、和氮气。其原理是在放电状态下反应气体四氟化碳、氧气和硅片边缘的硅化合物发生反应生成硅，反应形成粉未和气态物质后随气流一起被抽走等。

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