定义
物质存在的形式多种多样，
固体、
液体、
气体、
等离子体等
半导体
等。我们通常把
导电性差的材料，如煤、
人工晶体、
琥珀、
陶瓷等称为绝缘体。而把导电性比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为
导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与导体和绝缘体相比，
半导体材料的发现是最晚的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可
。
本征半导体：不含杂质且无
晶格缺陷的半导体称为本征半导体。在极低温度下，半导体的
价带是
满带（见
能带理论），受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入
能量较高的空带，空带中存在电子后成为
导带，价带中缺少一个电子后形成一个带
正电的空位，称为
空穴。空穴导电并不是实际运动，而是一种
等效。电子导电时等
电量的空穴会沿其反方向运动[1]
。它们在外电场作用下产生定向运动而形成
宏观电流，分别称为
电子导电和
空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，电子-空穴对消失，称为
复合。复合时释放出的
能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）。在一定温度下，电子- 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子
密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子- 空穴对，载流子密度增加，
电阻率减小。无
晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大，实际应用不多。
分类
半导体材料很多，按化学成分可分为
元素半导体和化合物半导
半导体
体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化镉、硫化锌等）、氧化物（
锰、
铬、
铁、
铜的氧化物）,以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、
镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。
半导体的分类，按照其制造技术可以分为：
集成电路器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类，一般来说这些还会被分成小类。此外还有以应用领域、设计方法等进行分类，虽然不常用，但还是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。
相关短语
半导体Semiconductor；intrinsic semiconductor
有机半导体[电子] organic semiconductor；TCNQ；OSTS
半导体晶体[电子] semiconductor crystal；[电子] semiconducting crystal；[电子] crystal semiconducting；[电子] Crystal Semiconductor
纯半导体intrinsic semiconductor；pure semiconductor
半导体玻璃semiconducting glass；semiconductorglass
半导体整流semiconductor rectifier；semiconductor rectifier,semiconductor rectifier
离子半导体ionic semiconductor
半导体芯片semiconductor chips；conductor chip；semiconductor pellet；semiconductor chip,semiconductor chip
半导体制冷semiconductor refrigeration；Semi-conductor refrigerant；Semiconductor Cooling；
共价键结构：相邻的两个原子的一对最外层电子（即价电子）不但各自围绕自身所属的
原子核运动，而且出现在相邻原子所属的轨道上，成为共用电子，构成共价键。
自由电子的形成：在常温下，少数的价电子由于热运动获得足够的能量，挣脱共价键的束缚变成为
自由电子。
空穴：价电子挣脱共价键的束缚变成为自由电子而留下一个空位置称空穴。
电子电流：在外加电场的作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流。
空穴电流：自由电子按一定的方向依次填补空穴（即空穴也产生定向移动），形成空穴电流。
本征半导体的电流：电子电流+空穴电流。自由电子和空穴所带电荷极性不同，它们
运动方向相反。
导体电的特点：导体导电只有一种载流子，即自由电子导电。
本征半导体电的特点：本征半导体有两种载流子，即自由电子和空穴均参与导电。
本征激发：半导体在热激发下产生自由电子和空穴的现象称为本征激发。
复合：自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴，使两者同时消失，这种现象称为复合。
动态平衡：在一定的温度下，本征激发所产生的自由电子与空穴对，与复合的自由电子与空穴对数目相等，达到动态平衡。
载流子的浓度与温度的关系：温度一定，本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。当温度升高时，热运动加剧，挣脱
共价键束缚的自由电子增多，空穴也随之增多（即载流子的浓度升高），导电性能增强；当温度降低，则载流子的浓度降低，导电性能变差。
结论：本征半导体的导电性能与温度有关。半导体材料性能对温度的敏感性，可制作热敏和光敏器件，又造成
半导体器件温度稳定性差的原因。
杂质半导体：通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，可得到杂质半导体。
P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如
硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半导体。
多数载流子：P型半导体中，空穴的浓度大于自由电子的浓度，称为多数载流子，简称多子。
少数载流子：P型半导体中，自由电子为少数载流子，简称少子。
P型半导体的导电特性：它是靠空穴导电，掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。
N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置形成N型半导体。
施主原子：杂质原子可以提供电子，称施主原子。
N型半导体的导电特性：掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能也就越强。
结论：
多子的浓度主要决定于杂质浓度。
少子的浓度主要决定于温度。
PN结的形成：将P型半导体与N型半导体制作在同一块
硅片上，
PN结的形成过程
在它们的交界面就形成PN结。
