| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 型号 | DL0511P1 | ||
| 批号 | 25 | ||
| 封装 | DFN1006 | ||
| 包装 | 卷 | ||
| 最小包装量 | 10000 | ||
| 最大工作电压 | 5V | ||
| 最大工作电流 | 5A | ||
| 最大反向电流 | 1A | ||
| 最大功耗 | 0.5W | ||
| 导通电压 | 6 | ||
| 反向恢复时间 | 1ps | ||
| 温度 | -45-85 | ||
| 品牌 | D-FIRST FF | ||
固态硅雪崩技术瞬态电压抑制器二极管可防止过电压损坏敏感电子元件。由于采用了紧凑型封装，;瞬态电压抑制器二极管特别适用于便携式应用，如移动电话和移动电话附件、笔记本电脑、台式机和服务器。二极管还可用于带有激光二极管保护和模拟输入的应用。低电容瞬态电压抑制器二极管阵列
DL0511P1
低电容静电防护二极管 DFN1006 封装 5V 40W 2.5A 0.3PF
1-Line Ultra Low Capacitance Bi-directional TVS Diode
特性：
1. 符合RoHS与无卤要求
2. 低电容0.3pF VR = 0V, f = 1MHz
3. 低限制电压VC小于16V (8/20uS IPP=2.5A)
4. 低漏电流0.2 μA
5. 满足 61000-4-2 (ESD) ±25KV (air), ±20KV (contact)
用途：
1. 手机与配件
2. 穿戴设备
3. PCI express, SATA, USB 2.0,DVI, 显示端口
4. 汽车电子
包装方式：
10000/Tape & Reel 7 inch
丝印：6U
常用DFN1006封装ESD TVS
DC3311P0
DC3321P0
DC0521P0
DL0521P0
DC3301P1
DC3321P1
DL3321P0S
DC4581P1L
DC4581P1
DC0501P1
DC0511P1
DC0521PZ
DC0521P1L
DL0521P1
DL0501P1
DC1201P1
DC1211P1
DC1221P1
DC1231P1
DC3601P1
DC0521D5
